上海举行“电子的非平衡态及应用”青年学者论

 
 
上海举行“子的非平衡态及应用”青年学者论坛  
 

9月29日，第12 期东方科技论坛“子的非平衡态及应用”青年学者论坛在沪杏科技图书馆举行。这次跨学科的学术交流将通过沪内外青年学者的研讨，从固体非平衡子前沿研究的角度寻求解决当前半导体芯片面临的热管理技术挑战。

60余位来自中科院上海技术物理研究所、复旦大学、南京大学、东京大学以及中国计量科学研究院等单位的青年专家和科技人员，围绕固体中子的非平衡态物理、子非平衡特征的测量技术、非平衡子材料与芯片等专题，分享最新研究进展，探讨子、光芯片基础研究与创新技术的发展。

现代信息技术的基础是对硅等半导体材料中子行为的控制，随着子元件尺寸的不断缩小，材料中处于非平衡状态的热子行为越来越显著。目前以中央处理器（CPU）为代表的集成子芯片，70-80%的功耗最终转化成了热能，这是半导体材料中大量的能或子能量向晶格传递，形成非功能耗的结果。这一现象在半导体LED、激光器等光器件中同样广泛存在，其内在的机制是固体中处于非平衡状态子的运动行为和能量耗散过程，这些机制正深刻影响着微子芯片的技术发展和产业进程。

如何观测和控制这些远离平衡态的子特征，以及如何从对非平衡子的基础研究中给出半导体芯片热管理的新方案是本次论坛关注的焦点。

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